Ka波段GaAs MMIC单平衡宽带混频器

摘要：

介绍了单平衡混频器和Lange耦合器的工作原理,基于0.15 μm GaAs PHEMT工艺技术,设计了一款Ka波段单平衡宽带混频器芯片,仿真结果显示该混频器芯片在30 ～ 40 GHz频率范围内获得了良好的性能,变频损耗小于10 dB,射频-本振隔离度大于30 dB,中频-本振隔离度大于35 dB,中频-射频隔离度大于40 dB,同时具有优良的驻波特性,P-1 dB功率大于0 dBm.该芯片尺寸为1.7 mm×1.8 mm.对该混频器进行了流片,并进行测试,测试结果表明,该混频器变频损耗约为8 dB,各端口间隔离度均优于30 dB.测试结果和仿真结果一致性良好.采用Lange耦合器是该混频器的特点,使它获得了良好的性能指标和更宽的带宽.

关键词：混频器、单平衡、晶体管(PHEMT)、Lange耦合器、变频损耗

所属期刊栏目：38

在线出版日期：2013-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：661-665