GaAs PHEMT通信开关电路设计

摘要：

设计制作了GaAs PHEMT通信开关电路.分析了基于GaAs场效应晶体管(FET)的正压控制开关电路原理,采用GaAs FET器件串并联结构设计了单刀双掷(SPDT)和双刀双掷(DPDT)开关电路.使用ADS软件对电路进行了优化设计,并对电路版图进行了电磁场仿真优化,基于0.5 μm GaAs PHEMT工艺,流片制作了SPDT和DPDT开关电路.测试结果表明,在DC ～6 GHz带宽内,SPDT开关插损大于-0.75 dB,隔离度小于-27 dB (3 GHz),回波损耗小于-18 dB,芯片尺寸为0.55 mm×0.50 mm.DPDT开关插损大于-1.8 dB,隔离度小于-20 dB (3 GHz),回波损耗小于-12 dB,芯片尺寸为0.65 mm×0.60mm.两种开关均采用正电压控制(+5 V),具有低插损、高隔离度、大功率处理能力(P1dB大于30 dBm)和芯片尺寸小等优点,可广泛应用于微波通信系统中.

关键词：GaAs PHEMT、正压控制、单刀双掷(SPDT)、双刀双掷(DPDT)

所属期刊栏目：38

分类号：TN43;TN304.23(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：656-660