期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353x.2013.09.002

低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计

引用
设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器.输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定.中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益.输出级采用AB类结构,通过米勒补偿控制零点使系统稳定,此运放可用于低压低功耗电子设备中.整个电路用CSMC 0.5 μm BCDMOS工艺参数进行设计,工作电压为2.7V.Spectre仿真结果显示,此运放实现了直流开环增益90 dB(负载电阻RL=600 Ω),相位裕度70°,增益带宽积1.4 MHz,静态电流0.18 mA.设计的运算放大器满足设计指标.

互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器、AB类、低压、增益提高、恒跨导

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TN722.77(基本电子电路)

国家科技重大专项2009ZX02303-004,2010ZX02201-002-001

2013-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

651-655

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2013,38(9)

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