金刚石电子材料生长的研究进展

摘要：

简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一.介绍了金刚石基的电子器件及其材料生长的研究进展,分析了金刚石膜的导电机理以及材料生长的新技术.重点介绍了采用包括微波等离子体化学汽相淀积(MPCVD)等方法制备金刚石膜、本征单晶生长、硼掺杂等技术.目前在直径为100 ～ 200 mm的硅衬底上,可以淀积均匀的超纳米结晶金刚石(UNCD)膜.此外,对金刚石电子学和光电子学的未来进行了展望.

关键词：材料生长、金刚石膜、化学汽相沉积(CVD)、超纳米结晶金刚石(UNCD)、宽带隙、表征

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.18(半导体技术)

在线出版日期：2013-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：641-650,680