新型自对准石墨烯场效应晶体管制备工艺

摘要：

提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容.利用该工艺制备的自对准栅GFET器件可以消除传统GFET器件制备过程中存在的栅极与漏极和源极覆盖区的寄生电容或栅极与源极和漏极暴露区的寄生电阻,使器件直流特性得到了很大改善.对制作的样品进行直流I-V特性测试时,清楚地观测到了双极型导电特性.制作的沟道长度为1μm的自对准GFET器件样品最大跨导gm为2μS/ μm,提取的电子与空穴的本征场效应迁移率μeeff和μheff分别为6 924和7035 cm2/ (V·s),顶栅电压VTG为±30 V时,器件的开关电流比Ion/Ioff约为50,远大于目前已报道的最大GFET开关电流比.

关键词：石墨烯、石墨烯场效应晶体管(GFET)、自对准、集成电路(IC)、硅

所属期刊栏目：38

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2013-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：525-529