逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真

摘要：

仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其“折回效应”现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流“折回效应”的影响.用“MOSFET+ pin二极管”等效电路模型分析了仿真结果中得到的结论.结果表明,Ln/Lp与n-漂移区厚度对“折回效应”幅度影响显著.在n-漂移区厚度为60 μm时,Ln/Lp尺寸比例在5/11和2/14(μm/μm)之间,“折回效应”幅度较低,并且反向二极管具有导通能力,可以成为对应RC-NPT-IGBT的工艺窗口；在n-漂移区厚度达到150 μm时,“折回效应”接近消失,Ln/Lp尺寸比例可以有更宽的选择.

关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT)、非穿通型(NPT)、逆向导通(RC)、"折回效应"、电导调制效应

所属期刊栏目：38

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：深圳市2012年高新技术产业发展专项

在线出版日期：2013-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：517-520,529