7～13.5 GHz单片低噪声放大器设计

摘要：

采用0.15 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路.该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中.电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电.电路中增加并联负反馈结构,以提高增益平坦度.电路输出后端增加阻性电路,提高部分频段的稳定性,在全频段上满足无条件稳定的条件.在频率为7 ～ 13.5 GHz范围内,外加工作电压3V,对低噪声放大器芯片进行了在片测试,测试结果表明,在带内放大器的噪声系数小于1.6 dB,小信号增益大于17 dB,输入回波损耗低于-12 dB,输出回波损耗低于-15 dB；低噪声放大器芯片面积为2.15 mm×1.15 mm.

关键词：赝高电子迁移率晶体管、电子迁移率、晶体管(PHEMT)、低噪声放大器、负反馈、噪声系数、回波损耗

所属期刊栏目：38

分类号：TN43;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：497-501,524