倒装芯片封装中非牛顿流体下填充的数值仿真

摘要：

倒装芯片封装中的下填充工艺可以有效地提高封装连接的可靠性,因而得到了广泛应用.含有硅填料的环氧树脂是常用的下填充胶料,在下填充流动过程中表现出明显的非牛顿流体特性.利用Fluent软件对具有非牛顿流体特性胶料的下填充过程进行了三维数值模拟.采用流体体积比函数(VOF)对流动前沿界面进行追踪,再用连续表面张力(CSF)模型来计算下填充流动的毛细驱动力,并用幂函数本构方程来体现下填充胶料的非牛顿流体特性.通过数值模拟,获得了下填充流动前沿位置随时间变化的数据,这些数据与实验结果有较好的吻合度.该数值方法可较好地预测具有非牛顿流体性质胶料的下填充过程.

关键词：倒装芯片、下填充、非牛顿流体、流体体积比函数、连续表面张力模型

所属期刊栏目：38

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：69-73,78