SiO2/CeO2混合磨料对硅CMP效果影响

摘要：

以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式.采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅溶胶复配混合作为磨料,利用氧化铈对硅片表面化学反应产物硅酸胺盐的强络合作用,加快了硅衬底表面化学反应进程.分析了复合磨料抛光的机理,通过Aglient 5600LS原子力显微镜,测试了抛光前后的厚度及抛光后的硅片表面微粗糙度.实验结果表明,复合磨料抛光后硅片表面在10 μm×10 μm范围内粗糙度方均根值0.361 nm,表面微粗糙度降低16％以上,去除率为1 680 nm/min,硅CMP速率提高8％以上,实现了高去除速率、低表面粗糙度的硅单晶抛光.

关键词：纳米氧化铈、化学机械抛光、硅衬底、去除速率、粗糙度

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分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2009ZX02308,2009ZX02011-005A

在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：51-54