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10.3969/j.issn.1003-353x.2013.01.007

采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管

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介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺.根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式.采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命.研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理.研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门板特性和动态特性.

快速晶闸管、镓铝双质掺杂、杂质浓度分布、图形设计、电子辐照

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TN34(半导体技术)

2013-03-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2013,38(1)

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