8.9 W/mm高功率密度SiC MESFET器件研制

摘要：

基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了A1记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片.采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最终得到了不同栅宽的SiC MESFET芯片.突破了大栅宽芯片流片、封装及大功率脉冲测试技术,研制成功了微波功率特性良好的MESFET器件.微波测试结果表明,在2 GHz脉冲条件下,0.25 mm栅宽器件,输出功率密度达到8.96 W/mm,功率附加效率达到30％.单胞20 mm大栅宽器件,3.4 GHz脉冲条件下,功率输出达到94 W,功率附加效率达到22.4％.

关键词：碳化硅、微波、金属半导体场效应晶体管、功率密度、脉冲

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.24;TN323.4(半导体技术)

在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：20-24