斜埋氧SOI LDMOS高压器件新结构

摘要：

为了提高基于绝缘体上的硅(SOI)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS (S SOI LDMOS)耐压新结构.当器件关断时,倾斜的埋氧层束缚了大量的空穴,在埋氧层上界面引入了高密度的正电荷,大大增强了埋氧层中的电场,从而提高了纵向耐压.另外,埋氧层的倾斜使器件漂移区厚度从源到漏线性增加,这就等效于漂移区采用了线性变掺杂,通过优化埋氧层倾斜度,可获得一个理想的表面电场分布,提高了器件的横向耐压.对器件耐压机理进行了理论分析与数值仿真,结果表明新结构在埋氧层厚度为1 μm、漂移区长度为40μm时,即可获得600 V以上的击穿电压,其耐压比常规结构提高了3倍多.

关键词：空穴、斜埋氧层、绝缘体上的硅、临界击穿电场、击穿电压

所属期刊栏目：38

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：教育部春晖计划Z2011091;四川省教育厅重点项目12ZA161;四川省重点学科资助项目SZD0503-09-0

在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-19,50