铜基引线框架氧化的产物、机理及控制措施

摘要：

铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物.通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度.在引线框架的氧化初期,氧化速率由化学反应速率控制；在氧化中期,氧化速率由化学反应速率和扩散速率共同控制；在氧化后期,氧化速率由扩散速率控制.其中扩散过程包括Cu离子的向外扩散和氧原子的向内扩散.为了控制铜基引线框架的氧化,一方面可以优化封装工艺参数,降低封装过程对框架的氧化；另一方面,可以提高铜合金冶金技术,提高铜合金材料本身的抗氧化能力.

关键词：引线框架、氧化、铜合金、可靠性、稀土元素

所属期刊栏目：37

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：969-973