基于RF接收机的过冲性能优化分析

摘要：

可变增益控制是RF接收机的通用功能,它包括程控衰减器和放大器.可编程增益控制单元一般采用CMOS结构的开关器件.采用半导体制造技术制造的CMOS结构开关器件存在非理想特性,其中开关切换过程残留电荷是一种非理想特性.如果CMOS开关器件位于信号通路,开关切换残留电荷会传导到下一级电路,从而影响系统的瞬态性能,干扰RF接收机对获取信号的判断.通过在技术上的设计来减小开关过冲是CMOS结构开关器件的设计难点之一.针对这一特性,进行了理论分析并提出了解决方案.通过对几种解决方案的对比,给出了各自的特点.最后通过差分抑制过冲的实测结果分析,表明此方法具备较优效果.

关键词：过冲、CMOS结构开关、电荷、频率、幅度

所属期刊栏目：37

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江苏省科技支撑计划BE2010003

在线出版日期：2013-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：964-968