选择性腐蚀确定GaN薄膜中位错类型

摘要：

提出了一种确定GaN外延薄膜中位错种类的方法.通过化学试剂对GaN薄膜表面进行选择性腐蚀,并用X射线衍射仪(XRD)及原子力显微镜(AFM)对腐蚀前后的薄膜进行了表征,确立了GaN薄膜表面的蚀坑形貌与位错类型之间的时应关系.XRD测试结果表明,GaN薄膜中的位错密度并不随着腐蚀时间延长而发生变化.采用AFM对蚀坑形貌进行深度剖析,发现了四种不同的位错蚀坑:倒六角锥型蚀坑、倒六角平台型蚀坑、倒双六角平台型蚀坑以及混合型蚀坑.进一步研究表明,这四种不同的位错蚀坑分别对应于四种不同的位错种类,所有蚀坑基本都可以沿着这四种腐蚀路线演化而来.同时用扫描电镜(SEM)观察到的蚀坑形貌与AFM测试结果基本一致.

关键词：位错种类、化学腐蚀、位错蚀坑、X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电镜

所属期刊栏目：37

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划资助项目613550101;国家自然科学基金51002052;广东省重大科技专项2011A080801018;凝固技术国家重点实验室开放基金SKLSP201111

在线出版日期：2013-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：943-949