硅衬底化学机械抛光后去除有机物残留的研究

摘要：

化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效.针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,配合FA/O Ⅰ型活性剂溶液进行预清洗,去除表面颗粒的同时降低了表面粗糙度.此外,过氧焦磷酸盐被还原成的焦磷酸盐具有很强的络合力,它能与Cu等金属离子络合,达到同时去除金属杂质的目的.研究了氧化液的体积分数对有机物清洗效果的影响,发现氧化液的体积分数为60％～100％时残留有机物去除效果最佳.作为一种新型的清洗方法,清洗效率高且成本低,操作简单可控且环保,符合新时期半导体清洗工艺的要求.

关键词：化学机械抛光(CMP)后清洗、电化学、有机物、过氧焦磷酸盐、氧化液

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2009ZX02308

在线出版日期：2013-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：928-933