期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353x.2012.11.015

LED对MM和HBM静电放电敏感性的研究

引用
为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验.每次静电测试前后均对样品进行光电参数测试,观察样品光电参数的变化,并以此作为判别LED失效的依据.通过实验,研究对比MM静电放电和HBM静电放电试验对LED特性的影响,并从理论上探讨了相关失效机理.实验表明无论是MM静电放电还是HBM静电放电,均会造成LED反向漏电流增大,正向I-V特性“收缩”,光通量一定程度的衰减.但是在静电敏感电压上有差别较大,MM静电失效电压远低于HBM静电失效电压.

静电放电、机器模式、人体模式、发光二极管、反向漏电流、光通量

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TN364.2(半导体技术)

2012-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

894-899

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2012,37(11)

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