穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析

摘要：

对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析.首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了HSQ基TSV互连结构在潮湿环境下因湿膨胀系数不同引起的湿应力,以及湿-热环境下的湿-热应力分布.结果表明:湿气会提高TSV结构界面处的等效应力,但湿气对铜线中的应力影响较小.湿-热应力集中主要出现在HSQ材料和与之相邻的硅上.与Si02基TSV结构相比,HSQ基TSV结构中铜线上的应力集中得到改善,但HSQ和硅界面上的应力集中有所增加.

关键词：TSV结构、低k材料、湿-热应力、有限元、铜互连

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.94;TN306(半导体技术)

在线出版日期：2012-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：889-893