在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件

摘要：

通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的重大意义.详细介绍了国内外在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的研究状况及所发展的相关外延技术.相比金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术,脉冲激光沉积技术可以实现Ⅲ族氮化物的低温外延生长,从而克服金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术采用的高温生长而导致金属衬底与外延薄膜间发生的剧烈界面反应,可以直接在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件.脉冲激光沉积技术为在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件开拓了广阔的前景.

关键词：Ⅲ族氮化物及相关器件、金属衬底、脉冲激光沉积技术、外延生长、界面反应

所属期刊栏目：37

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家重点实验室开放基金

在线出版日期：2012-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：863-868