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10.3969/j.issn.1003-353x.2012.11.007

InP晶体多线切割工艺研究

引用
磷化铟(InP)是重要的化合物半导体材料,在微波、毫米波器件以及抗辐照太阳电池等领域有着广泛的应用.由于InP材料的硬度较小,并且易于解理,因此InP材料的切割具有较大的技术难度.对InP晶体的多线切割工艺进行了研究,并重点分析了多线切割工艺中工艺参数设置(如切割速度、切割线张力等)对InP切割片几何参数的影响.实验结果表明,InP不但可以采用多线切割技术进行切割,而且通过调整切割工艺参数,如适当提高切割速度、增加切割线张力等可以获取几何参数精度较高的InP切割片.

磷化铟晶体、多线切割、几何参数、切割速度、线张力

37

TN305.1(半导体技术)

2012-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

37

2012,37(11)

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