Cu互连Mo基新型扩散阻挡层的化学机械抛光

摘要：

亚16 nm以下的互连技术中需要采用电阻率低、阻挡性能好、与Cu粘附性好并同时具有较好抛光性能的新型扩散阻挡层.利用自制2英寸图形片,对Mo和CoMo新型扩散阻挡层Cu互连结构图形片的抛光性能进行了初步研究.使用扫描电子显微镜、原子力显微镜及白光干涉仪观察表面与截面微观形貌；用电阻测试研究抛光后各不同区域铜线深度变化.结果显示,经过相同的酸性抛光液(pH值为4)抛光后,相比于Mo样品,CoMo样品具有较小的Cu碟形缺陷和较小的表面粗糙度.抛光后CoMo样品具有良好的抛光表面均匀性.

关键词：化学机械抛光、铜互连、扩散阻挡层、钴钼合金、碟形缺陷

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2009ZX02308-005

在线出版日期：2012-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：846-849