STI应力对CMOS器件影响的模拟研究

摘要：

浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术.使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真.结果表明,当WsTI=0.2μm时,压应力值为-30 MPa；当WSTI=0.75 μm时,压应力值为-136 MPa,沟道中的压应力随STI宽度的增加而逐渐变大；当WSTI从0.2 μm增大到0.75μm时,nMOS的Idsat降低了约7.1％,pMOS的Idsat提高了约6.67％,即随着STI宽度的增加nMOS的Idsat降低,pMOS的Idsat增加.因此,在版图设计中,可以通过改变STI宽度的方法来提高器件的性能.另外,在器件模型中应考虑加入WSTI参数,以达到对电路性能更精确的仿真.

关键词：浅沟槽隔离、应力、TCAD软件、版图设计、器件建模

所属期刊栏目：37

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2012-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：842-845,854