SiGe工艺中HBT结构ESD保护电路设计

摘要：

为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案.通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和其寄生电容大小之间的关系进行了比较分析,并从中找出最优化的ESD解决方案.应用于实际电路中的验证结果表明,此方案在ESD防护能力达到人体模型(HBM)2 kV的基础上,I/O(IN/OUT 输入输出)端口的寄生电容值可以做到200 fF以下,且此电容值还可通过HBT串联模式进一步降低.

关键词：异质结双极型晶体管、锗硅、静电保护、寄生电容、射频

所属期刊栏目：37

分类号：TN322.8(半导体技术)

在线出版日期：2012-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：653-657