SiC衬底AlN缓冲层的应变对GaN外延层质量的影响

摘要：

在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法生长GaN外延材料.研究了AlN缓冲层的应变状态对GaN外延层应变状态和质量的影响.使用原子力显微镜和高分辨率X射线双晶衍射仪观察样品表面形貌,表征外延材料质量的变化,使用高分辨喇曼光谱仪观察外延材料应力的变化,提出了基于外延生长的应变变化模型.实验表明,GaN外延层的张应变随着AlN缓冲层应变状态的由压变张逐渐减小,随着GaN张应力的逐渐减小,GaN位错密度也大大减少,表面形貌也逐渐变好.

关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、GaN外延层、AlN缓冲层、失配、应变、应力

所属期刊栏目：37

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2012-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：630-633