FBAR用高质量AlN薄膜制备

摘要：

采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(Ⅲ)村底上成功制备了(002)向AlN薄膜.使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量.当RF偏置从0W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化.当RF偏置为15 W 时,AlN薄膜表现出了良好的(002)生长取向.实验结果表明,适当的RF偏置能够提高Al原子和N原子反应时的活性,促进AlN薄膜的(002)择优生长.该溅射方案应用于薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振器工艺加工,成功制作了Q值为300,机电耦舍系数为5％的FBAR样品.

关键词：氮化铝薄膜、磁控反应溅射、RF偏置、薄膜体声波谐振器、(002)向

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分类号：O4841;TN304.23(固体物理学)

在线出版日期：2012-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：627-629