局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其制备方法

摘要：

描述了混合晶向技术原理以及各种硅村底晶向的反型层中载流子迁移率特性,分析了应变硅技术对载流子迁移率的增强机理,介绍了DSL这种应变硅技术的工艺实现方法.提出了将混合晶向技术和应变硅技术两者有机结合以提高载流子迁移率的局部化混合晶向应变硅基本思路,分析了基于该基本思路的局部化混合晶向应变硅CMOS结构及箕电学性能.最后详细描述了局部化混合晶向应变硅CMOS结构工艺流程,为开发高性能、低功耗CMOS集成电路提供了一个科学合理的工艺制备方法.

关键词：混合晶向技术(HOT)、应变硅、局部化、迁移率、互补金属氧化物半导体(CMOS)

所属期刊栏目：37

分类号：TN405;TN386.1(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家科技重大专项2011ZX02501

在线出版日期：2012-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：617-622,633