具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计

摘要：

提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计.在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点.利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护.完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容.二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD 保护能够达到2000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性.

关键词：垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS)、过流保护、静电放电(ESD)、功率器件、可靠性

所属期刊栏目：37

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2012-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：612-616