双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计

摘要：

为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构.采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱- DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾.器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2.同时,非埋层工艺使成本大幅下降.

关键词：双n型深阱、隔离式高压n型沟道LDMOS、击穿电压、比导通电阻、非埋层工艺

所属期刊栏目：37

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2012-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：603-607