开关式低压CMOS温度传感器的设计与实现

摘要：

介绍了一种基于0.18 μm CMOS工艺,具有开关功能的低压集成温度传感器.该温度传感器利用半导体pn结的电流电压与温度有关的特性,获取双极晶体管基极-发射极电压差值△VBE,采用仪表放大器进行后级放大.仪表放大器由两个采用折叠式共源共栅结构,带有PD开关信号的运算放大器作为反馈系统,放大倍数为7.用ADE工具,对整个电路在工作电压1.8V、偏置电流20 μA下进行仿真,得到其精度为1.58 mV/℃,再在不同工艺角下进行仿真验证.版图总面积为320 μm×280 μm.该设计已经在一款数字视频芯片中得到实现,用于实时检测芯片温度.实际测试结果与模拟仿真结果基本相同.

关键词：CMOS、温度传感器、开关式、低压、仪表放大器

所属期刊栏目：37

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：590-593,611