10.3969/j.issn.1003-353x.2012.06.014
VL020回流炉中半导体激光器芯片In焊接研究
利用VL020真空烧结炉,选用In焊料对半导体激光器芯片的焊接技术进行较为深入的研究,分别对焊接时气体保护、焊接前期芯片、热沉的处理、真空工艺过程压力的施加、夹具设计和烧结工艺曲线等因素进行实验分析.结果表明,以上参数对半导体激光器芯片的焊接均有显著的影响,在N2/H2体积分数为95%/5%气体的保护下,通过对夹具施加适当的静压力,In焊料与Au能够充分和快速润湿,实现较高的焊接质量.蔡司显微镜检测结果表明,采用焊接技术可以使半导体激光器芯片具有较低的空洞率,高达90%以上的焊透率,其焊接过程主要通过夹具装配完成,人为影响因素少,成品率高,并适用于小批量生产.
半导体激光器芯片、In焊接、空洞率、真空烧结、烧结工艺
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TN365(半导体技术)
吉林省半导体激光科技创新中心;大功率半导体激光器及应用产品开发;高效节能柔性工作新一代半导体激光加工装备研制
2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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