应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究

摘要：

介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面.研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1 psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌.通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用.

关键词：局部氧化隔离、化学机械抛光、反刻、抛光速率、选择比

所属期刊栏目：37

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：460-463