Si基薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究

摘要：

介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案.依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002) AIN薄膜作为压电材料,基于FBAR多层立体结构,实现了空气腔型FBAR谐振器的制作工艺,实际制作了FBAR谐振器样品.实测FBAR谐振器样品典型指标:Q值≥300,谐振频率为1.46 GHz,谐振频率覆盖L波段.测试结果验证了设计方案及工艺路径的正确性与可行性,为后续产品的研发提供了技术基础.

关键词：薄膜体声波谐振器、氮化铝薄膜、空气腔、牺牲层技术、谐振器

所属期刊栏目：37

分类号：TN75(基本电子电路)

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：456-459,469