10.3969/j.issn.1003-353x.2012.06.008
考虑漏磁效应的平行平板式磁微执行器Pull-in模型
Pull-in参数是设计磁微执行器时需要考虑的一项重要参数.研究漏磁效应对Pull-in参数的影响时,通常采用有限元法求数值解,需要反复重新建模,工作量大,因而需要一个解析模型.对于平行平板式磁微执行器,给出了详细的漏磁阻模型.将漏磁阻的解析式带入到Pull -in方程组中便可得到一对考虑了漏磁影响的Pull-in参数.利用有限元法对器件的Pull-in特性进行了仿真.将考虑漏磁影响的理论值和不考虑漏磁影响的理论值分别与有限元分析结果做对比,结果表明,不考虑漏磁影响时,Pull-in参数的误差随着极板间距的增大而增大.利用漏磁阻模型求出的Pull-in参数具则有良好的精度,并且相对误差不随极板间距的增大而增大.
Pull-in、磁微执行器、漏磁阻、耦合场分析、有限元法
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TN402;TN405(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金;江苏省高等学校"青蓝工程"项目
2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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