衍射干涉光刻研究

摘要：

光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域.衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象.利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形.采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析；并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅；最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅.

关键词：严格耦合波分析算法、光刻机、衍射干涉、干法刻蚀、亚微米

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家自然科学基金

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：363-366