4H-SiC npn双极型晶体管的研制

摘要：

采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性.为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n -结构材料,然后根据版图设计进行相应的刻蚀,形成双台面结构.为保证p型基区能实现良好的欧姆接触,外延时在n+层和p层中间插入适当高掺杂的p+层外延,但也使双极晶体管发射效率降低,电流放大系数降低.为提高器件的击穿电压,在尽量实现低损伤刻蚀时,采用牺牲氧化等技术减少表面损伤及粗糙度,避免表面态及尖端电场集中,并利用SiC能形成稳定氧化层的优势来形成钝化保护.器件的集电结反向击穿电压达200 V,集电结在100 V下的反向截止漏电流小于0.05 mA,共发射极电流放大系数约为3.

关键词：4H-SiC、双极晶体管、刻蚀、击穿电压、氧化

所属期刊栏目：37

分类号：TN322.8;TN325.3(半导体技术)

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：359-362