S波段连续波输出功率20W的SiC MESFET

摘要：

采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10W的SiC MESFET.经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30％的SiC MESFET研制结果.器件的功率增益和输出功率较以往的研制结果均得到显著提高,器件的反向截止泄漏电流也大幅度降低.由于器件未采用内匹配结构,其体积也化一般内匹配器件的体积小.研制结果为多胞合成实现更大功率输出的器件创造了条件,也使S波段连续波大功率输出器件的研制水平上了一个新的台阶.

关键词：碳化硅、金属-肖特基场效应晶体管、连续波、大功率、高增益

所属期刊栏目：37

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：355-358