0.2～30GHz GaAs FET开关模型的提取与验证

摘要：

在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,准确的器件模型对于提高电路设计成功率和缩短电路研发周期起着重要作用.首先采用标准的GaAs MMIC工艺制造出不同栅指数和单位栅宽的开关PHEMT器件,然后对加工的开关电路在“开”态(Vgs=0 V)和“关”态(Vgs=-5V)进行宽频率范围内的测量,基于测量结果建立起一个参数化的GaAs PHEMT开关等效电路模型,最后通过单刀单掷(SPST)开关来验证参数化模型.应用该参数化模型设计的电路实测与仿真结果基本吻合,证明参数化的GaAs PHEMT模型是可用的.该模型可用于30 GHz以下GaAs PHEMT工艺开关MMIC电路仿真设计.

关键词：开关、模型、砷化镓、赝配高电子迁移率晶体管、单片微波集成电路

所属期刊栏目：37

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：347-350