利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究

摘要：

提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构.该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能.针对一款达林顿结构ESD保护电路,制作了现有ESD保护电路结构和新型ESD保护电路结构的测试板级电路,测试结果表明:两种ESD保护电路结构的抗静电能力均达到20 kV,现有ESD保护电路结构在0～4.3 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于- 10 dB,最高工作频率为4.3 GHz；新型ESD保护电路结构在0～5.6 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于- 10 dB,最高工作频率为5.6 GHz.

关键词：ESD保护电路、键合线、新型结构、抗静电能力、射频性能

所属期刊栏目：36

分类号：TN305.96(半导体技术)

资助基金：江苏省科技支撑计划工业项目BE2010129

在线出版日期：2012-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：804-808