基于90nm CMOS工艺的60GHz射频接收前端电路设计

摘要：

设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路.该射频接收前端采用直接变频结构,将59 ～ 64 GHz的微波信号下变频至5～10 GHz的中频信号.射频前端包括一个四级低噪声放大器和电流注入式的吉尔伯特单平衡混频器.LNA设计中考虑了ESD的静电释放路径.后仿真表明,射频接收前端的转换增益为13.5～17.5 dB,双边带噪声因子为6.4～7.8 dB,输入1 dB压缩点为- 23 dBm.电路在1.2V电源电压下功耗仅为38.4 mW.该射频接收前端电路采用IBM 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.65 mm2.

关键词：60 GHz频段、射频接收前端、低噪声放大器、混频器、互补金属氧化物半导体

所属期刊栏目：36

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家国际科技合作专项基金2009DFA12130

在线出版日期：2012-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：786-790