初始埚位对单晶少子寿命的影响

摘要：

在KX260晶体生长系统上装备24英寸(1英寸=2.54 cm)热场,装料量为120 kg.采用5种不同的初始埚位(-50,- 60,- 70,- 80,-90 mm),其他工艺参数相同的晶体生长工艺,拉制了5根φ200 mm、p型、晶向〈100〉、电阻率2Ω·cm的单晶硅棒.待硅棒冷却后,取片进行少子寿命和氧含量的测试,根据所得数据分析不同初始埚位对少子寿命的影响.由分析结果得出结论:随着初始埚位的提升,单晶硅棒少子寿命逐渐降低.结合实际生产利润及硅片品质需要,最后得到最适合晶体生长的初始埚位是-70 mm.

关键词：直拉硅单晶、初始埚位、少子寿命、氧含量、硅棒

所属期刊栏目：36

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2012-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：782-785