氧化锌纳米线晶体管的电学特性研究

摘要：

成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析.使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的器件具有良好的直流特性,进行退火后进一步改善器件的源漏接触,提高器件性能,最终制备成功的场效应晶体管显示出p型MOS的特性,其开关态电流比达到105.在Vds=2.5 V时,跨导峰值为0.4 μS,栅氧电容约为0.9fF,器件夹断电压Vth为0.6V,沟道迁移率约为87.1 cm2/V·s,计算得到氧化锌纳米线载流子浓度ne=6.8×108 cm-3.在Vgs=0 V时,器件沟道电阻率为100 Ω·cm.

关键词：氧化锌、纳米线、场效应晶体管、背栅、退火

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.21;TN386(半导体技术)

资助基金：中国科学院微电子研究所所长基金08SB034002

在线出版日期：2012-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：778-781,785