增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展

摘要：

随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点.增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用.近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度；在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度.从影响器件阂值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向.

关键词：氮化镓、高电子迁移率晶体管、增强型、阈值电压、氮化铝镓

所属期刊栏目：36

分类号：TN386.3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2010CB934104

在线出版日期：2012-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：771-777