蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究

摘要：

低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN( LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象.基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN (n-GaN),发现过厚或者过薄的缓冲层都会对n-GaN晶体质量产生负面影响,并结合初始成核阶段进行了原因分析.制备了基于不同厚度的n-GaN的发光二极管(LED)样品,分析了GaN晶体质量对LED输出功率的影响.同时发现,晶体质量较差的时候,光提取效率可能主导着对LED器件性能的影响.

关键词：氮化镓、蓝宝石图形衬底、选择性生长、发光二极管、缓冲层

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.23(半导体技术)

在线出版日期：2012-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：760-764