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10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.004

深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响

引用
为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比.实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV.由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质.

氮化镓、深能级、发光二极管(LED)、电致发光、电流-电压特性

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TN312.8(半导体技术)

国家重点基础研究发展计划(973计划);国家高技术研究发展计划(863计划);国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;南京大学扬州光电研究院研发项目

2012-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

751-754,812

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2011,36(10)

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