红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究

摘要：

采用金属有机物化学气相沉积( MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD) ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28％.比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度.室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近.变温PL (15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm.由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的“S”变化趋势.

关键词：InGaN/GaN多量子阱、金属有机化学气相沉积、光致荧光谱、原子力显微镜、红橙光

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;南京大学扬州光电研究院研发项目

在线出版日期：2012-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：747-750