fT=140GHz,fmax=200GHz的超高速InP DHBT

摘要：

InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点.通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应；改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积；优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@ 10 μA,在VCE =4V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信.

关键词：双异质结双极晶体管(DHBT)、缓变层、发射极-基极自对准、空气桥、侧向腐蚀

所属期刊栏目：36

分类号：TN322.8;TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2010CB327603

在线出版日期：2012-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：743-746