功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究

摘要：

依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析.通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证.本工作重点分析了能够影响功率VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置.结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平.

关键词：功率、优化、仿真、工艺参数、可制造性设计、验证

所属期刊栏目：36

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：693-696