SiGe异质结晶体管技术的发展

摘要：

以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程.介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术的优缺点.在此基础上,对SiGe HBT技术进行了分析总结并列举了其典型技术应用.以IBM的SiGe BiCMOS技术为例,介绍了目前主流的SiGe异质结晶体管技术- SiGe BiCMOS技术的研究现状及典型技术产品.最后对正在发展中的SiGe FET技术做了简要介绍.在回顾了SiGe异质结晶体管技术发展的同时,认为未来SiGe异质结晶体管技术的提高将主要依赖于超薄SiGe基区外延技术.

关键词：SiGe技术、SiGe 外延、SiGe HBT、SiGe BiCMOS、SiGe FET

所属期刊栏目：36

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：672-676,729