高稳定性无片外电容低压差线性稳压器的设计

摘要：

设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO ),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中.针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放大器结构,结合密勒补偿以及一阶RC串联零点补偿两种方案,有效地改善了无片外电容LDO的稳定性.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.11 mm2,最大负载电容100 pF,输入电压为1.8 V时,输出电压为1.5 V,静态电流31.8μA,压差为160 mV.

关键词：无片外电容、低压差稳压器、密勒补偿、高稳定性、片上系统(SoC)

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2009AA12Z314

在线出版日期：2011-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：538-541