10.3969/j.issn.1003-353x.2011.07.006
GaAs工艺监测研究
介绍了GaAs MMIC (GaAs microwave monolithic integrated circuit)工艺运用监测技术控制工艺过程,实时掌握工艺状况,保证产品的一致性、可重复性和可靠性.针对薄层电阻和接触电阻的阻值以及器件的栅阻和栅长等工艺过程中关键的参数,分别用范德堡结构、开尔文结构和十字桥结构进行监测.采用范德堡结构测得薄层电阻Rδ=(π/ln 2 )V14/I23,开尔文结构得到接触电阻Rc =V/13/I24,十字桥结构可以了解栅阻和栅长.然后通过运用统计过程控制技术对数据进行分析,可以有效改进工艺,提高产品质量.
GaAs MMIC、工艺监测、薄层电阻、十字桥、统计过程控制
TN407(微电子学、集成电路(IC))
2011-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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520-523